随着5G通信系统,下一代6G网络,卫星通信,商业和军事航空电子设备的发展,具有高击穿电压、低介电常数、高功率密度、最佳功率器件、......

设计研制了一种新型的低噪声分布式放大器,采用了栅长为1μm的低噪声复合沟道Al0.3Ga0.7N/Al0.05Ga0.95N/GaN HEMT(CC-HEMT).给出......

GaN HEMTs作为第三代半导体器件,它的工作频率高,功率密度大,而且耐高温、高压,不仅是功放控制电路中的重要组成部分,也是毫米波时......